1. 樣品制備  

   厚度公差≤±0.1 mm，平行度≤5 µm，避免“邊緣電容 Ce"引入系統誤差 。  

   表面粗糙度 Ra≤0.8 µm，防止“表面電導"使 tanδ 偏大 。  

2. 電極系統  

   三電極結構（保護電極-測量電極-高壓電極）必須對中，消除“邊緣效應"和“雜散電容 Cs" 。  

   接觸壓力 0.5 N/mm2，確保“真實接觸面積"接近幾何面積，降低“空氣間隙誤差" 。  

3. 校準順序  

   空載電容 C0→短路零點→標準電容器（NIST 溯源），完成“三點校準"后再測樣品 。  

   每年≤1 次整機校準，并記錄“校準因子 k"便于結果溯源 。  

4. 環境控制  

   23 ℃±2 ℃，RH ≤ 65 %，高頻測試時把整機移入恒溫恒濕箱，靜置 2 h 以消除“吸濕極化" 。  

5. 寄生電容補償  

   高頻下引線寄生電容 Cp 可高達 10 pF，必須使用儀器內置“Cp 補償"功能，否則 ε? 虛高 。  

6. 高壓安全  

   升壓速率≤1 kV/s，場強上限 1 kV/mm（IEC 60250），防止“預擊穿樹化" 。  

   操作區 1 m 內禁人，配 CO? 滅火器，防止“表面閃絡"引發電弧 。  

7. 數據記錄  

   同步記錄“環境 tanδ 背景值"（空池），用于后期“空白扣除" 。  

8. 關機流程  

   先降電壓→放電 30 s→取樣品，防止“殘余電荷"損壞輸入級 。